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东芝和西数正研发128层3D NAND闪存最早2020年上市
2021-12-02 00:05
本文摘要:根据外媒的报导,东芝及其战略盟友西部数据打算发售更高密度128层3DNAND存储器。在东芝的命名法中,该芯片将命名为BiCS-5。 据介绍,芯片将构建TLC,而不是改版的QLC。这有可能是因为NAND存储器制造商依然对QLC芯片的低产量有担忧。 该芯片的数据密度为512Gb,新的128层芯片的容量比96层芯片多33%,可以在2020到2021年构建商业化生产。 据报导,新的芯片每单位信道的载入性能从66MB/s减少到132MB/s。

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根据外媒的报导,东芝及其战略盟友西部数据打算发售更高密度128层3DNAND存储器。在东芝的命名法中,该芯片将命名为BiCS-5。  据介绍,芯片将构建TLC,而不是改版的QLC。这有可能是因为NAND存储器制造商依然对QLC芯片的低产量有担忧。

该芯片的数据密度为512Gb,新的128层芯片的容量比96层芯片多33%,可以在2020到2021年构建商业化生产。  据报导,新的芯片每单位信道的载入性能从66MB/s减少到132MB/s。据报导,该芯片还使用了CuA(阵列电路),这是一种设计创意,节省了15%的芯片尺寸。


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